近日，據韓國媒體報道，韓國光子技術研究院（KOPTI）宣布成功研發(fā)出高效精細Micro LED，Micro LED內部量子效率均可保持90%的范圍內，并且不受芯片尺寸大小和不同的注入電流密度的影響。

20μm Micro LED電流-電壓曲線和發(fā)射圖像（圖片來源：KOPTI）

這款Micro LED由光學半導體顯示研究部的Jong hyup Baek博士團隊、Woong ryeol Ryu博士帶領的ZOGAN Semi團隊和漢陽大學納米光電子學系的Jong in Shim教授共同開發(fā)打造，產品解決了Micro LED因芯片尺寸縮小以及注入電流增加而導致的發(fā)光效率迅速下降的問題。

據悉，20μm尺寸以下的Micro LED不僅發(fā)光效率迅速下降，而且在驅動顯示面板所需的低電流范圍（0.01A/cm²～1A/cm²）內，Micro LED非發(fā)光復合損耗顯著增加。目前，業(yè)界通過在芯片側面導入鈍化工藝可一定程度緩解上述問題，但并不能從根本上解決。

20μm、10μm藍光Micro LED的內部量子效率 (IQE) 根據電流密度的變化

KOPTI介紹，本次研究團隊通過新結構減輕了外延層中的應力，提高了發(fā)光效率，并抑制了Micro LED在任何外部電場或結構下的物理應力變化。因此，即使Micro LED尺寸減小，新結構可依舊顯著降低表面非發(fā)光復合損耗并保持了高發(fā)光效率，且無需采用鈍化工藝。

目前，團隊已成功驗證高效精細Micro LED在藍光，以及氮化鎵綠光、紅光器件上的應用，未來有望通過該技術生產全彩氮化鎵Micro LED顯示器。